SISA24DN-T1-GE3, Силовой МОП-транзистор, N Канал, 25 В, 60 А, 0.00115 Ом, PowerPAK 1212, Surface Mou

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: SISA24DN-T1-GE3
МОП-транзистор 25V Vds 60A Id 17.2nC Qg Typ.
Основные
вес, г0.5
вид монтажаSMD/SMT
категория продуктаМОП-транзистор
максимальная рабочая температура+ 150 C
190
+
Бонус: 3.8 !
Бонусная программа
Итого: 190
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
МОП-транзистор 25V Vds 60A Id 17.2nC Qg Typ.
Основные
вес, г0.5
вид монтажаSMD/SMT
категория продуктаМОП-транзистор
максимальная рабочая температура+ 150 C
минимальная рабочая температура55 C
подкатегорияMOSFETs
размер фабричной упаковки3000
тип продуктаMOSFET
торговая маркаVishay / Siliconix
упаковка / блокPowerPAK-1212-8
серияSIS
длина3.3 mm
время нарастания42 ns
время спада17 ns
коммерческое обозначениеTrenchFET, PowerPAK
pd - рассеивание мощности52 W
количество каналов1 Channel
Вес и габариты
технологияSi
конфигурацияSingle
id - непрерывный ток утечки60 A
qg - заряд затвора55 nC
rds вкл - сопротивление сток-исток1.15 mOhms
vds - напряжение пробоя сток-исток25 V
vgs - напряжение затвор-исток20 V, - 16 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток1 V
канальный режимEnhancement
крутизна характеристики прямой передачи - мин.75 S
полярность транзистораN-Channel
тип транзистора1 N-Channel
типичное время задержки выключения17 ns
типичное время задержки при включении18 ns
Высота 1.04 мм
Ширина3.3 мм
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль