SISA14DN-T1-GE3

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор For New Design See: 78-SISHA14DN-T1-GE3
Основные
вес, г0.1073
вид монтажаSMD/SMT
категория продуктаМОП-транзистор
максимальная рабочая температура+ 150 C
200
+
Бонус: 4 !
Бонусная программа
Итого: 200
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор For New Design See: 78-SISHA14DN-T1-GE3
Основные
вес, г0.1073
вид монтажаSMD/SMT
категория продуктаМОП-транзистор
максимальная рабочая температура+ 150 C
минимальная рабочая температура55 C
подкатегорияMOSFETs
размер фабричной упаковки3000
тип продуктаMOSFET
торговая маркаVishay / Siliconix
упаковка / блокPowerPAK-1212-8
серияSIS
время нарастания8 ns
время спада8 ns
коммерческое обозначениеTrenchFET, PowerPAK
pd - рассеивание мощности26.5 W
количество каналов1 Channel
Вес и габариты
технологияSi
конфигурацияSingle
id - непрерывный ток утечки20 A
qg - заряд затвора29 nC
rds вкл - сопротивление сток-исток4.25 mOhms
vds - напряжение пробоя сток-исток30 V
vgs - напряжение затвор-исток16 V, + 20 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток1.1 V
канальный режимEnhancement
крутизна характеристики прямой передачи - мин.65 S
полярность транзистораN-Channel
тип транзистора1 N-Channel
типичное время задержки выключения18 ns
типичное время задержки при включении9 ns
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль