SISA12ADN-T1-GE3, Силовой МОП-транзистор, N Канал, 30 В, 25 А, 0.0032 Ом, PowerPAK 1212, Surface Mou
Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: SISA12ADN-T1-GE3
- Обзор
- Характеристики
- Отзывы (0)
- Реквизиты
МОП-транзистор 30V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
| Основные | |
| вес, г | 2 |
| package / case | PowerPAK-1212-8 |
| вид монтажа | SMD/SMT |
| категория продукта | МОП-транзистор |
| максимальная рабочая температура | + 150 C |
| минимальная рабочая температура | 55 C |
| подкатегория | MOSFETs |
| размер фабричной упаковки | 3000 |
| тип продукта | MOSFET |
| торговая марка | Vishay / Siliconix |
| упаковка / блок | PowerPAK-1212-8 |
| серия | SIS |
| время нарастания | 10 ns |
| время спада | 10 ns |
| коммерческое обозначение | TrenchFET, PowerPAK |
| minimum operating temperature | - 55 C |
| factory pack quantity | 3000 |
| manufacturer | Vishay |
| maximum operating temperature | + 150 C |
| mounting style | SMD/SMT |
| packaging | Cut Tape or Reel |
| product category | MOSFET |
| product type | MOSFET |
| series | SIS |
| subcategory | MOSFETs |
| pd - рассеивание мощности | 28 W |
| количество каналов | 1 Channel |
| configuration | Single |
| fall time | 10 ns |
| rise time | 10 ns |
| number of channels | 1 Channel |
| Вес и габариты | |
| tradename | TrenchFET, PowerPAK |
| технология | Si |
| конфигурация | Single |
| technology | Si |
| pd - power dissipation | 28 W |
| id - непрерывный ток утечки | 25 A |
| qg - заряд затвора | 45 nC |
| rds вкл - сопротивление сток-исток | 3.2 mOhms |
| vds - напряжение пробоя сток-исток | 30 V |
| vgs - напряжение затвор-исток | 16 V, 20 V |
| vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 1.1 V |
| канальный режим | Enhancement |
| крутизна характеристики прямой передачи - мин. | 51 S |
| полярность транзистора | N-Channel |
| тип транзистора | 1 N-Channel |
| типичное время задержки выключения | 25 ns |
| типичное время задержки при включении | 10 ns |
| channel mode | Enhancement |
| rds on - drain-source resistance | 3.2 mOhms |
| transistor polarity | N-Channel |
| vds - drain-source breakdown voltage | 30 V |
| vgs - gate-source voltage | 20 V, - 16 V |
| id - continuous drain current | 25 A |
| typical turn-on delay time | 10 ns |
| typical turn-off delay time | 25 ns |
| forward transconductance - min | 51 S |
| qg - gate charge | 45 nC |
| transistor type | 1 N-Channel |
| vgs th - gate-source threshold voltage | 1.1 V |
Отзывов нет
Компания ООО "Телеметрия"
- Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ" Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38 ИНН 7536172565 КПП 381201001 ОГРН 1187536004215 Расчетный счет 40702810010000426573 Банк АО «Тинькофф Банк» БИК банка 044525974 ИНН банка 7710140679 Корреспондентский счет банка 30101810145250000974 Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26
![NCE3050, Транзистор MOSFET N-канал 30V 50A [TO-220]](/wa-data/public/shop/products/34/17/211734/images/243267/243267.300x0.jpg "NCE3050, Транзистор MOSFET N-канал 30V 50A [TO-220]")
![MJD32CT4, Транзистор PNP 100В 3A [DPAK]](/wa-data/public/shop/products/90/96/189690/images/225331/225331.300x0.jpg "MJD32CT4, Транзистор PNP 100В 3A [DPAK]")
![KBP210 (RS207), Диодный мост 2А 1000В [KBP]](/wa-data/public/shop/products/33/37/123733/images/155187/155187.300x0.jpg "KBP210 (RS207), Диодный мост 2А 1000В [KBP]")
