SIS862ADN-T1-GE3, MOSFET, Single - N-Channel, 60V, 52A, PowerPAK 1212-8
Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул:SIS862ADN-T1-GE3
Обзор
Характеристики
Отзывы (0)
Реквизиты
N-Channel 60 V (D-S) MOSFET TrenchFET® Gen IV power MOSFET Very low RDS x Qg figure-of-merit (FOM) Tuned for the lowest RDS x Qoss FOMundefined
Основные
вес, г
0.15
mounting type
Surface Mount
максимальная рабочая температура
150 C
линейка продукции
TrenchFET
package type
PowerPAK 1212-8
minimum operating temperature
-55 C
width
3.15mm
pin count
8
maximum operating temperature
+150 C
количество выводов
8вывод(-ов)
уровень чувствительности к влажности (msl)
MSL 1-Безлимитный
Вес и габариты
number of elements per chip
1
channel type
N Channel
рассеиваемая мощность
39Вт
power dissipation
39Вт
напряжение истока-стока vds
60В
transistor configuration
Single
maximum drain source voltage
60 V
maximum gate source voltage
±20 V
полярность транзистора
N Канал
стиль корпуса транзистора
PowerPAK 1212
непрерывный ток стока
52А
сопротивление во включенном состоянии rds(on)
0.0057Ом
напряжение измерения rds(on)
10В
пороговое напряжение vgs
2.5В
maximum continuous drain current
52 A
maximum gate threshold voltage
2.5V
maximum drain source resistance
11 mΩ
channel mode
Enhancement
minimum gate threshold voltage
1V
maximum power dissipation
39 W
typical gate charge @ vgs
19.8 nC 10 V
forward diode voltage
1.1V
монтаж транзистора
Surface Mount
drain source on state resistance
0.0057Ом
Отзывов нет
Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ"
Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38
ИНН 7536172565
КПП 381201001
ОГРН 1187536004215
Расчетный счет 40702810010000426573
Банк АО «Тинькофф Банк»
БИК банка 044525974
ИНН банка 7710140679
Корреспондентский счет банка 30101810145250000974
Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26