N-Channel 60 V (D-S) MOSFET TrenchFET® Gen IV power MOSFET Very low RDS x Qg figure-of-merit (FOM) Tuned for the lowest RDS x Qoss FOMundefined

Подробное описание

Основные
вес, г	0.15
mounting type	Surface Mount
максимальная рабочая температура	150 C
линейка продукции	TrenchFET

150 ₽

– +

Бонус: 3 !

Бонусная программа

Итого: 150 ₽

Купить

N-Channel 60 V (D-S) MOSFET TrenchFET® Gen IV power MOSFET Very low RDS x Qg figure-of-merit (FOM) Tuned for the lowest RDS x Qoss FOMundefined

Основные
вес, г	0.15
mounting type	Surface Mount
максимальная рабочая температура	150 C
линейка продукции	TrenchFET
package type	PowerPAK 1212-8
minimum operating temperature	-55 C
width	3.15mm
pin count	8
maximum operating temperature	+150 C
количество выводов	8вывод(-ов)
уровень чувствительности к влажности (msl)	MSL 1-Безлимитный
Вес и габариты
number of elements per chip	1
channel type	N Channel
рассеиваемая мощность	39Вт
power dissipation	39Вт
напряжение истока-стока vds	60В
transistor configuration	Single
maximum drain source voltage	60 V
maximum gate source voltage	±20 V
полярность транзистора	N Канал
стиль корпуса транзистора	PowerPAK 1212
непрерывный ток стока	52А
сопротивление во включенном состоянии rds(on)	0.0057Ом
напряжение измерения rds(on)	10В
пороговое напряжение vgs	2.5В
maximum continuous drain current	52 A
maximum gate threshold voltage	2.5V
maximum drain source resistance	11 mΩ
channel mode	Enhancement
minimum gate threshold voltage	1V
maximum power dissipation	39 W
typical gate charge @ vgs	19.8 nC 10 V
forward diode voltage	1.1V
монтаж транзистора	Surface Mount
drain source on state resistance	0.0057Ом

Отзывов нет

Кнопки