SIS407DN-T1-GE3

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор -20V Vds 8V Vgs PowerPAK 1212-8
Основные
вес, г0.4605
вид монтажаSMD/SMT
категория продуктаМОП-транзистор
максимальная рабочая температура+ 150 C
310
+
Бонус: 6.2 !
Бонусная программа
Итого: 310
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор -20V Vds 8V Vgs PowerPAK 1212-8
Основные
вес, г0.4605
вид монтажаSMD/SMT
категория продуктаМОП-транзистор
максимальная рабочая температура+ 150 C
минимальная рабочая температура55 C
подкатегорияMOSFETs
размер фабричной упаковки3000
тип продуктаMOSFET
торговая маркаVishay Semiconductors
упаковка / блокPowerPAK-1212-8
серияSIS
длина3.3 mm
время нарастания28 ns
время спада38 ns
коммерческое обозначениеTrenchFET, PowerPAK
pd - рассеивание мощности33 W
другие названия товара №SIS407DN-GE3
количество каналов1 Channel
Вес и габариты
технологияSi
конфигурацияSingle
id - непрерывный ток утечки25 A
qg - заряд затвора38 nC
rds вкл - сопротивление сток-исток9.5 mOhms
vds - напряжение пробоя сток-исток20 V
vgs - напряжение затвор-исток8 V, + 8 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток400 mV
канальный режимEnhancement
крутизна характеристики прямой передачи - мин.60 S
полярность транзистораP-Channel
тип транзистора1 P-Channel
типичное время задержки выключения92 ns
типичное время задержки при включении23 ns
Высота 1.04 мм
Ширина3.3 мм
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль