SIS322DNT-T1-GE3

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор 30V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8S
Основные
вид монтажаSMD/SMT
категория продуктаМОП-транзистор
максимальная рабочая температура+ 150 C
минимальная рабочая температура55 C
190
+
Бонус: 3.8 !
Бонусная программа
Итого: 190
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор 30V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8S
Основные
вид монтажаSMD/SMT
категория продуктаМОП-транзистор
максимальная рабочая температура+ 150 C
минимальная рабочая температура55 C
подкатегорияMOSFETs
размер фабричной упаковки3000
тип продуктаMOSFET
торговая маркаVishay / Siliconix
упаковка / блокPowerPAK-1212-8
серияSIS
длина3.3 mm
время нарастания10 ns
время спада7 ns
коммерческое обозначениеTrenchFET, PowerPAK
pd - рассеивание мощности19.8 W
количество каналов1 Channel
Вес и габариты
технологияSi
конфигурацияSingle
id - непрерывный ток утечки38.3 A
qg - заряд затвора21.5 nC
rds вкл - сопротивление сток-исток6 mOhms
vds - напряжение пробоя сток-исток30 V
vgs - напряжение затвор-исток16 V, 20 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток1.2 V
канальный режимEnhancement
крутизна характеристики прямой передачи - мин.54 S
полярность транзистораN-Channel
тип транзистора1 N-Channel
типичное время задержки выключения15 ns
типичное время задержки при включении15 ns
Высота 1.04 мм
Ширина3.3 мм
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль