SIRC16DP-T1-GE3

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор 25V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
Основные
вес, г0.5066
вид монтажаSMD/SMT
категория продуктаМОП-транзистор
максимальная рабочая температура+ 150 C
390
+
Бонус: 7.8 !
Бонусная программа
Итого: 390
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор 25V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
Основные
вес, г0.5066
вид монтажаSMD/SMT
категория продуктаМОП-транзистор
максимальная рабочая температура+ 150 C
минимальная рабочая температура55 C
подкатегорияMOSFETs
размер фабричной упаковки3000
тип продуктаMOSFET
торговая маркаVishay Semiconductors
упаковка / блокPowerPAK-SO-8
серияSIR
длина6.15 mm
время нарастания36 ns
время спада12 ns
коммерческое обозначениеTrenchFET, PowerPAK
pd - рассеивание мощности54.3 W
количество каналов1 Channel
Вес и габариты
технологияSi
конфигурацияSingle
id - непрерывный ток утечки60 A
qg - заряд затвора105 nC
rds вкл - сопротивление сток-исток960 uOhms
vds - напряжение пробоя сток-исток25 V
vgs - напряжение затвор-исток16 V, + 20 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток1 V
канальный режимEnhancement
крутизна характеристики прямой передачи - мин.67 S
полярность транзистораN-Channel
тип транзистора1 N-Channel
типичное время задержки выключения31 ns
типичное время задержки при включении26 ns
Высота 1.04 мм
Ширина5.15 мм
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль