SIRA90DP-T1-GE3, N-CH 30V 100A 0,65mOhm

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: SIRA90DP-T1-GE3
МОП-транзистор 30V Vds 100A Id Qg 48nC Typ.
Основные
вид монтажаSMD/SMT
категория продуктаМОП-транзистор
максимальная рабочая температура+ 150 C
минимальная рабочая температура55 C
210
+
Бонус: 4.2 !
Бонусная программа
Итого: 210
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
МОП-транзистор 30V Vds 100A Id Qg 48nC Typ.
Основные
вид монтажаSMD/SMT
категория продуктаМОП-транзистор
максимальная рабочая температура+ 150 C
минимальная рабочая температура55 C
подкатегорияMOSFETs
размер фабричной упаковки3000
тип продуктаMOSFET
торговая маркаVishay / Siliconix
упаковка / блокPowerPAK-SO-8
серияSIR
время нарастания16 ns
время спада10 ns
линейка продукцииTrenchFET
коммерческое обозначениеTrenchFET, PowerPAK
количество выводов8вывод(-ов)
pd - рассеивание мощности104 W
количество каналов1 Channel
уровень чувствительности к влажности (msl)MSL 1-Безлимитный
Вес и габариты
технологияSi
конфигурацияSingle
channel typeN Channel
рассеиваемая мощность104Вт
power dissipation104Вт
напряжение истока-стока vds30В
id - непрерывный ток утечки100 A
qg - заряд затвора153 nC
rds вкл - сопротивление сток-исток650 uOhms
vds - напряжение пробоя сток-исток30 V
vgs - напряжение затвор-исток16 V, 20 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток800 mV
канальный режимEnhancement
крутизна характеристики прямой передачи - мин.110 S
полярность транзистораN-Channel
тип транзистора1 N-Channel
типичное время задержки выключения46 ns
типичное время задержки при включении15 ns
стиль корпуса транзистораPowerPAK SO
непрерывный ток стока100А
сопротивление во включенном состоянии rds(on)650мкОм
напряжение измерения rds(on)10В
пороговое напряжение vgs
монтаж транзистораSurface Mount
drain source on state resistance650мкОм
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль