SIRA84BDP-T1-GE3, Силовой МОП-транзистор, N Канал, 30 В, 70 А, 0.0033 Ом, PowerPAK SO, Surface Mount

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: SIRA84BDP-T1-GE3
МОП-транзистор N-Channel 30 V (D-S) МОП-транзистор
Основные
вес, г1
mounting typeSurface Mount
вид монтажаSMD/SMT
категория продуктаМОП-транзистор
96
+
Бонус: 1.92 !
Бонусная программа
Итого: 96
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
МОП-транзистор N-Channel 30 V (D-S) МОП-транзистор
Основные
вес, г1
mounting typeSurface Mount
вид монтажаSMD/SMT
категория продуктаМОП-транзистор
максимальная рабочая температура+ 150 C
минимальная рабочая температура55 C
подкатегорияMOSFETs
размер фабричной упаковки3000
тип продуктаMOSFET
торговая маркаVishay / Siliconix
упаковка / блокPowerPAK-SO-8
время нарастания5 ns
время спада5 ns
коммерческое обозначениеTrenchFET
package typePowerPAK SO-8
minimum operating temperature-55 C
width5mm
pin count8
maximum operating temperature+150 C
pd - рассеивание мощности36 W
количество каналов1 Channel
Вес и габариты
технологияSi
number of elements per chip1
конфигурацияSingle
channel typeN
transistor configurationSingle
maximum drain source voltage30 V
maximum gate source voltage-16 V, +20 V
id - непрерывный ток утечки70 A
qg - заряд затвора20.7 nC
rds вкл - сопротивление сток-исток7.1 mOhms
vds - напряжение пробоя сток-исток30 V
vgs - напряжение затвор-исток16 V, + 20 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток1.2 V
канальный режимEnhancement
полярность транзистораN-Channel
тип транзистора1 N-Channel
типичное время задержки выключения20 ns
типичное время задержки при включении10 ns
maximum continuous drain current70 A
maximum gate threshold voltage2.4V
maximum drain source resistance7.1 mΩ
channel modeEnhancement
minimum gate threshold voltage1.2V
maximum power dissipation36 W
typical gate charge @ vgs20.7 nC 10 V
forward diode voltage1.1V
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль