SiRA84BDP-T1-GE3, N-Channel MOSFET, 70 A, 30 V, 8-Pin PowerPAK SO-8 SiRA84BDP-T1-GE3

Semiconductors\Discrete Semiconductors\MOSFETsN-Channel 30 V (D-S) MOSFET. TrenchFET® Gen IV power MOSFET

Подробное описание

Основные
mounting type	Surface Mount
вид монтажа	SMD/SMT
категория продукта	МОП-транзистор
максимальная рабочая температура	+ 150 C

Все характеристики

40 ₽

– +

Бонус: 0.8 !

Бонусная программа

Итого: 40 ₽

Купить

Обзор
Характеристики
Отзывы (0)
Реквизиты

Semiconductors\Discrete Semiconductors\MOSFETsN-Channel 30 V (D-S) MOSFET. TrenchFET® Gen IV power MOSFET

Основные
mounting type	Surface Mount
вид монтажа	SMD/SMT
категория продукта	МОП-транзистор
максимальная рабочая температура	+ 150 C
минимальная рабочая температура	55 C
подкатегория	MOSFETs
размер фабричной упаковки	3000
тип продукта	MOSFET
торговая марка	Vishay / Siliconix
упаковка / блок	PowerPAK-SO-8
время нарастания	5 ns
время спада	5 ns
коммерческое обозначение	TrenchFET
package type	PowerPAK SO-8
minimum operating temperature	-55 C
width	5mm
pin count	8
maximum operating temperature	+150 C
pd - рассеивание мощности	36 W
количество каналов	1 Channel
Вес и габариты
технология	Si
number of elements per chip	1
конфигурация	Single
channel type	N
transistor configuration	Single
maximum drain source voltage	30 V
maximum gate source voltage	-16 V, +20 V
id - непрерывный ток утечки	70 A
qg - заряд затвора	20.7 nC
rds вкл - сопротивление сток-исток	7.1 mOhms
vds - напряжение пробоя сток-исток	30 V
vgs - напряжение затвор-исток	16 V, + 20 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	1.2 V
канальный режим	Enhancement
полярность транзистора	N-Channel
тип транзистора	1 N-Channel
типичное время задержки выключения	20 ns
типичное время задержки при включении	10 ns
maximum continuous drain current	70 A
maximum gate threshold voltage	2.4V
maximum drain source resistance	7.1 mΩ
channel mode	Enhancement
minimum gate threshold voltage	1.2V
maximum power dissipation	36 W
typical gate charge @ vgs	20.7 nC 10 V
forward diode voltage	1.1V

Отзывов нет

Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ"
Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38
ИНН 7536172565
КПП 381201001
ОГРН 1187536004215
Расчетный счет 40702810010000426573
Банк АО «Тинькофф Банк»
БИК банка 044525974
ИНН банка 7710140679
Корреспондентский счет банка 30101810145250000974
Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26

Кнопки

C этим товаром покупают

Быстрый просмотр

Быстрый просмотр

AO3409A, Транзистор P-MOSFET 30В 4.1А [SOT-23-3]

Быстрый просмотр

MJD112T4, Транзистор: NPN, биполярный, Дарлингтон, 100В, 2А, 20Вт, DPAK

Быстрый просмотр

SiRA84BDP-T1-GE3, N-Channel MOSFET, 70 A, 30 V, 8-Pin PowerPAK SO-8 SiRA84BDP-T1-GE3

C этим товаром покупают

Похожие товары Сравнить все