SIRA62DP-T1-RE3, Силовой МОП-транзистор, N Канал, 30 В, 80 А, 0.001 Ом, PowerPAK SO, Surface Mount

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: SIRA62DP-T1-RE3
Основные
вес, г3
factory pack quantity: factory pack quantity:3000
manufacturer:Vishay
maximum operating temperature:+150 C
240
+
Бонус: 4.8 !
Бонусная программа
Итого: 240
Купить
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Основные
вес, г3
factory pack quantity: factory pack quantity:3000
manufacturer:Vishay
maximum operating temperature:+150 C
minimum operating temperature:-55 C
mounting style:SMD/SMT
product category:MOSFET
product type:MOSFET
series:SIR
subcategory:MOSFETs
packaging:Reel, Cut Tape, MouseReel
Вес и габариты
package/case:PowerPAK-SO-8
tradename:TrenchFET, PowerPAK
pd - power dissipation:65.7 W
number of channels:1 Channel
technology:Si
configuration:Single
channel mode:Enhancement
id - continuous drain current:80 A
qg - gate charge:61.5 nC
rds on - drain-source resistance:1.2 mOhms
transistor polarity:N-Channel
transistor type:1 N-Channel
vds - drain-source breakdown voltage:30 V
vgs - gate-source voltage:-12 V, +16 V
vgs th - gate-source threshold voltage:1 V
typical turn-off delay time:26 ns
typical turn-on delay time:12 ns
forward transconductance - min:95 S
fall time:10 ns
rise time:21 ns
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль