SIRA32DP-T1-RE3

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор 25V Vds 16V Vgs PowerPAK SO-8
Основные
вес, г0.5066
вид монтажаSMD/SMT
категория продуктаМОП-транзистор
максимальная рабочая температура+ 150 C
330
+
Бонус: 6.6 !
Бонусная программа
Итого: 330
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор 25V Vds 16V Vgs PowerPAK SO-8
Основные
вес, г0.5066
вид монтажаSMD/SMT
категория продуктаМОП-транзистор
максимальная рабочая температура+ 150 C
минимальная рабочая температура55 C
подкатегорияMOSFETs
размер фабричной упаковки3000
тип продуктаMOSFET
торговая маркаVishay Semiconductors
упаковка / блокPowerPAK-SO-8
серияSIR
время нарастания23 ns
время спада10 ns
коммерческое обозначениеTrenchFET, PowerPAK
pd - рассеивание мощности65.7 W
количество каналов1 Channel
Вес и габариты
технологияSi
конфигурацияSingle
id - непрерывный ток утечки60 A
qg - заряд затвора55 nC
rds вкл - сопротивление сток-исток1 mOhms
vds - напряжение пробоя сток-исток25 V
vgs - напряжение затвор-исток12 V, + 16 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток2.2 V
канальный режимEnhancement
полярность транзистораN-Channel
тип транзистора1 N-Channel
типичное время задержки выключения24 ns
типичное время задержки при включении14 ns
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль