Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Одиночные МОП-транзисторы

Подробное описание

Основные
максимальная рабочая температура	150 C
линейка продукции	TrenchFET Gen IV
количество выводов	8вывод(-ов)
уровень чувствительности к влажности (msl)	MSL 1-Безлимитный

110 ₽

– +

Бонус: 2.2 !

Бонусная программа

Итого: 110 ₽

Купить

Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Одиночные МОП-транзисторы

Основные
максимальная рабочая температура	150 C
линейка продукции	TrenchFET Gen IV
количество выводов	8вывод(-ов)
уровень чувствительности к влажности (msl)	MSL 1-Безлимитный
Вес и габариты
channel type	N Channel
рассеиваемая мощность	17Вт
power dissipation	17Вт
напряжение истока-стока vds	30В
полярность транзистора	N Канал
стиль корпуса транзистора	PowerPAK SO
непрерывный ток стока	40А
сопротивление во включенном состоянии rds(on)	0.0055Ом
напряжение измерения rds(on)	10В
пороговое напряжение vgs	2.4В
монтаж транзистора	Surface Mount
drain source on state resistance	0.0055Ом

0.0

общая оценка

Всего 0 отзывов

0 отзывов

Отзывов нет

Кнопки

SIRA18BDP-T1-GE3, Силовой МОП-транзистор, N Channel, 30 В, 40 А, 0.0055 Ом, PowerPAK SO, Surface Mou