SIRA12DP-T1-GE3

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
МОП-транзистор 30V 4.3mOhm@10V 25A N-Ch G-IV
Основные
вид монтажаSMD/SMT
категория продуктаМОП-транзистор
максимальная рабочая температура+ 150 C
минимальная рабочая температура55 C
290
+
Бонус: 5.8 !
Бонусная программа
Итого: 290
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
МОП-транзистор 30V 4.3mOhm@10V 25A N-Ch G-IV
Основные
вид монтажаSMD/SMT
категория продуктаМОП-транзистор
максимальная рабочая температура+ 150 C
минимальная рабочая температура55 C
подкатегорияMOSFETs
размер фабричной упаковки3000
тип продуктаMOSFET
торговая маркаVishay / Siliconix
упаковка / блокPowerPAK-SO-8
серияSIR
длина6.15 mm
время нарастания10 ns
время спада10 ns
коммерческое обозначениеTrenchFET, PowerPAK
pd - рассеивание мощности31 W
другие названия товара №SIRA12DP-GE3
количество каналов1 Channel
Вес и габариты
технологияSi
конфигурацияSingle
id - непрерывный ток утечки60 A
qg - заряд затвора45 nC
rds вкл - сопротивление сток-исток3.2 mOhms
vds - напряжение пробоя сток-исток30 V
vgs - напряжение затвор-исток16 V, 20 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток1.1 V
канальный режимEnhancement
крутизна характеристики прямой передачи - мин.51 S
полярность транзистораN-Channel
тип транзистора1 N-Channel
типичное время задержки выключения25 ns
типичное время задержки при включении10 ns
Высота 1.04 мм
Ширина5.15 мм
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль