SIRA12BDP-T1-GE3, Силовой МОП-транзистор, N Канал, 30 В, 60 А, 0.0027 Ом, PowerPAK SO, Surface Mount
Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул:SIRA12BDP-T1-GE3
Обзор
Характеристики
Отзывы (0)
Реквизиты
МОП-транзистор 30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
Основные
вес, г
3
вид монтажа
SMD/SMT
категория продукта
МОП-транзистор
максимальная рабочая температура
+ 150 C
минимальная рабочая температура
55 C
подкатегория
MOSFETs
размер фабричной упаковки
3000
тип продукта
MOSFET
торговая марка
Vishay / Siliconix
упаковка
Reel, Cut Tape
упаковка / блок
PowerPAK-SO-8
серия
SIR
время нарастания
20 ns
время спада
10 ns
коммерческое обозначение
TrenchFET, PowerPAK
pd - рассеивание мощности
38 W
количество каналов
1 Channel
Вес и габариты
технология
Si
конфигурация
Single
id - непрерывный ток утечки
60 A
qg - заряд затвора
21 nC
rds вкл - сопротивление сток-исток
4.3 mOhms
vds - напряжение пробоя сток-исток
30 V
vgs - напряжение затвор-исток
16 V, + 20 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток
1.2 V
канальный режим
Enhancement
крутизна характеристики прямой передачи - мин.
67 S
полярность транзистора
N-Channel
тип транзистора
1 N-Channel
типичное время задержки выключения
15 ns
типичное время задержки при включении
10 ns
Отзывов нет
Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ"
Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38
ИНН 7536172565
КПП 381201001
ОГРН 1187536004215
Расчетный счет 40702810010000426573
Банк АО «Тинькофф Банк»
БИК банка 044525974
ИНН банка 7710140679
Корреспондентский счет банка 30101810145250000974
Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26