SIRA10BDP-T1-GE3
Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
- Обзор
- Характеристики
- Отзывы (0)
- Реквизиты
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор 30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
| Основные | |
| package / case | PowerPAK-SO-8 |
| вид монтажа | SMD/SMT |
| категория продукта | МОП-транзистор |
| максимальная рабочая температура | + 150 C |
| минимальная рабочая температура | 55 C |
| подкатегория | MOSFETs |
| размер фабричной упаковки | 3000 |
| тип продукта | MOSFET |
| торговая марка | Vishay / Siliconix |
| упаковка | Reel, Cut Tape |
| упаковка / блок | PowerPAK-SO-8 |
| серия | SIR |
| время нарастания | 20 ns |
| время спада | 10 ns |
| коммерческое обозначение | TrenchFET, PowerPAK |
| minimum operating temperature | -55 C |
| factory pack quantity | 3000 |
| manufacturer | Vishay |
| maximum operating temperature | +150 C |
| mounting style | SMD/SMT |
| packaging | Cut Tape or Reel |
| product category | MOSFET |
| product type | MOSFET |
| series | SIR |
| subcategory | MOSFETs |
| pd - рассеивание мощности | 43 W |
| количество каналов | 1 Channel |
| configuration | Single |
| fall time | 10 ns |
| rise time | 20 ns |
| number of channels | 1 Channel |
| Вес и габариты | |
| tradename | TrenchFET, PowerPAK |
| технология | Si |
| конфигурация | Single |
| technology | Si |
| pd - power dissipation | 43 W |
| id - непрерывный ток утечки | 60 A |
| qg - заряд затвора | 24.1 nC |
| rds вкл - сопротивление сток-исток | 3.6 mOhms |
| vds - напряжение пробоя сток-исток | 30 V |
| vgs - напряжение затвор-исток | 16 V, + 20 V |
| vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 1.2 V |
| канальный режим | Enhancement |
| крутизна характеристики прямой передачи - мин. | 68 S |
| полярность транзистора | N-Channel |
| тип транзистора | 1 N-Channel |
| типичное время задержки выключения | 25 ns |
| типичное время задержки при включении | 7 ns |
| channel mode | Enhancement |
| rds on - drain-source resistance | 3.6 mOhms |
| transistor polarity | N-Channel |
| vds - drain-source breakdown voltage | 30 V |
| vgs - gate-source voltage | 10 V |
| id - continuous drain current | 60 A |
| typical turn-on delay time | 7 ns |
| typical turn-off delay time | 25 ns |
| forward transconductance - min | 68 S |
| qg - gate charge | 24.1 nC |
| transistor type | 1 N-Channel |
| vgs th - gate-source threshold voltage | 1.2 V |
Отзывов нет
Компания ООО "Телеметрия"
- Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ" Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38 ИНН 7536172565 КПП 381201001 ОГРН 1187536004215 Расчетный счет 40702810010000426573 Банк АО «Тинькофф Банк» БИК банка 044525974 ИНН банка 7710140679 Корреспондентский счет банка 30101810145250000974 Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26
![NCE3050, Транзистор MOSFET N-канал 30V 50A [TO-220]](/wa-data/public/shop/products/34/17/211734/images/243267/243267.300x0.jpg "NCE3050, Транзистор MOSFET N-канал 30V 50A [TO-220]")
![STF13NM60N, Транзистор MOSFET N-CH 600V 11A [TO-220FP]](/wa-data/public/shop/products/21/10/201021/images/234657/234657.300x0.jpg "STF13NM60N, Транзистор MOSFET N-CH 600V 11A [TO-220FP]")
![SI2303, Транзистор P-MOSFET 30В 1.7А [SOT-23-3]](/wa-data/public/shop/products/83/34/203483/images/236655/236655.300x0.jpg "SI2303, Транзистор P-MOSFET 30В 1.7А [SOT-23-3]")
![KBP210 (RS207), Диодный мост 2А 1000В [KBP]](/wa-data/public/shop/products/33/37/123733/images/155187/155187.300x0.jpg "KBP210 (RS207), Диодный мост 2А 1000В [KBP]")
