SIRA01DP-T1-GE3, Силовой МОП-транзистор, P Channel, 30 В, 60 А, 0.0041 Ом, PowerPAK SO, Surface Moun

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: SIRA01DP-T1-GE3
Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Одиночные МОП-транзисторы
Основные
вес, г0.07
максимальная рабочая температура150 C
количество выводов8вывод(-ов)
Вес и габариты
280
+
Бонус: 5.6 !
Бонусная программа
Итого: 280
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Одиночные МОП-транзисторы
Основные
вес, г0.07
максимальная рабочая температура150 C
количество выводов8вывод(-ов)
Вес и габариты
channel typeP Channel
рассеиваемая мощность62.5Вт
power dissipation62.5Вт
напряжение истока-стока vds30В
полярность транзистораP Канал
стиль корпуса транзистораPowerPAK SO
непрерывный ток стока60А
сопротивление во включенном состоянии rds(on)0.0041Ом
напряжение измерения rds(on)10В
пороговое напряжение vgs2.2В
монтаж транзистораSurface Mount
drain source on state resistance0.0041Ом
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль