SIR826BDP-T1-RE3, Силовой МОП-транзистор, N Канал, 80 В, 80.8 А, 0.00435 Ом, PowerPAK SO, Surface Mo

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: SIR826BDP-T1-RE3
МОП-транзистор 80V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
Основные
вес, г1
вид монтажаSMD/SMT
категория продуктаМОП-транзистор
максимальная рабочая температура+ 150 C
360
+
Бонус: 7.2 !
Бонусная программа
Итого: 360
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
МОП-транзистор 80V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
Основные
вес, г1
вид монтажаSMD/SMT
категория продуктаМОП-транзистор
максимальная рабочая температура+ 150 C
минимальная рабочая температура55 C
подкатегорияMOSFETs
размер фабричной упаковки3000
тип продуктаMOSFET
торговая маркаVishay / Siliconix
упаковка / блокPowerPAK-SO-8
серияSIR
время нарастания8 ns
время спада8 ns
коммерческое обозначениеTrenchFET, PowerPAK
pd - рассеивание мощности83 W
количество каналов1 Channel
Вес и габариты
технологияSi
конфигурацияSingle
id - непрерывный ток утечки80.8 A
qg - заряд затвора69 nC
rds вкл - сопротивление сток-исток5.1 mOhms
vds - напряжение пробоя сток-исток80 V
vgs - напряжение затвор-исток20 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток2 V
канальный режимEnhancement
крутизна характеристики прямой передачи - мин.65 S
полярность транзистораN-Channel
тип транзистора1 N-Channel TrenchFET Power MOSFET
типичное время задержки выключения25 ns
типичное время задержки при включении14 ns
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль