SIR800ADP-T1-RE3

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор 20V Vds;12/-8V Vgs PowerPAK SO-8
Основные
вес, г0.2201
вид монтажаSMD/SMT
категория продуктаМОП-транзистор
максимальная рабочая температура+ 150 C
280
+
Бонус: 5.6 !
Бонусная программа
Итого: 280
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор 20V Vds;12/-8V Vgs PowerPAK SO-8
Основные
вес, г0.2201
вид монтажаSMD/SMT
категория продуктаМОП-транзистор
максимальная рабочая температура+ 150 C
минимальная рабочая температура55 C
подкатегорияMOSFETs
размер фабричной упаковки3000
тип продуктаMOSFET
торговая маркаVishay Semiconductors
упаковка / блокPowerPAK-SO-8
серияSIR
время нарастания13 ns
время спада10 ns
коммерческое обозначениеTrenchFET, PowerPAK
pd - рассеивание мощности62.5 W
количество каналов1 Channel
Вес и габариты
технологияSi
конфигурацияSingle
id - непрерывный ток утечки177 A
qg - заряд затвора53 nC
rds вкл - сопротивление сток-исток1.35 mOhms
vds - напряжение пробоя сток-исток20 V
vgs - напряжение затвор-исток8 V, + 12 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток600 mV
канальный режимEnhancement
крутизна характеристики прямой передачи - мин.60 S
полярность транзистораN-Channel
тип транзистора1 N-Channel
типичное время задержки выключения40 ns
типичное время задержки при включении20 ns
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль