SIR696DP-T1-GE3

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор 125V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
Основные
вес, г0.5066
вид монтажаSMD/SMT
категория продуктаМОП-транзистор
максимальная рабочая температура+ 150 C
420
+
Бонус: 8.4 !
Бонусная программа
Итого: 420
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор 125V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
Основные
вес, г0.5066
вид монтажаSMD/SMT
категория продуктаМОП-транзистор
максимальная рабочая температура+ 150 C
минимальная рабочая температура55 C
подкатегорияMOSFETs
размер фабричной упаковки3000
тип продуктаMOSFET
торговая маркаVishay / Siliconix
упаковка / блокPowerPAK-SO-8
серияSIR
длина6.15 mm
время нарастания17 ns
время спада7 ns
коммерческое обозначениеTrenchFET, PowerPAK
pd - рассеивание мощности104 W
количество каналов1 Channel
Вес и габариты
технологияSi
конфигурацияSingle
id - непрерывный ток утечки60 A
qg - заряд затвора24.8 nC
rds вкл - сопротивление сток-исток11.5 mOhms
vds - напряжение пробоя сток-исток125 V
vgs - напряжение затвор-исток10 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток2.5 V
канальный режимEnhancement
крутизна характеристики прямой передачи - мин.37 S
полярность транзистораN-Channel
тип транзистора1 N-Channel
типичное время задержки выключения18 ns
типичное время задержки при включении10 ns
Высота 1.04 мм
Ширина5.15 мм
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль