SIR632DP-T1-RE3, Силовой МОП-транзистор, N Channel, 150 В, 29 А, 0.0285 Ом, PowerPAK SO, Surface Mou

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: SIR632DP-T1-RE3
Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Одиночные МОП-транзисторыN-channel 150V (D-S) MOSFET suitable for use in fixed telecom, DC/DC converter, primary and secondary side switch, battery management and synchronous rectification. • ThunderFET® technology optimizes balance of RDS(on), Qi, Qsw and Qoss• 100% Rg and UIS tested
Основные
вес, г0.1
максимальная рабочая температура150 C
линейка продукцииThunderFET
количество выводов8вывод(-ов)
310
+
Бонус: 6.2 !
Бонусная программа
Итого: 310
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Одиночные МОП-транзисторыN-channel 150V (D-S) MOSFET suitable for use in fixed telecom, DC/DC converter, primary and secondary side switch, battery management and synchronous rectification.
• ThunderFET® technology optimizes balance of RDS(on), Qi, Qsw and Qoss• 100% Rg and UIS tested
Основные
вес, г0.1
максимальная рабочая температура150 C
линейка продукцииThunderFET
количество выводов8вывод(-ов)
уровень чувствительности к влажности (msl)MSL 1-Безлимитный
Вес и габариты
channel typeN Channel
рассеиваемая мощность69.5Вт
power dissipation69.5Вт
напряжение истока-стока vds150В
полярность транзистораN Канал
стиль корпуса транзистораPowerPAK SO
непрерывный ток стока29А
сопротивление во включенном состоянии rds(on)0.0285Ом
напряжение измерения rds(on)10В
пороговое напряжение vgs
монтаж транзистораSurface Mount
drain source on state resistance0.0285Ом
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль