SIR632DP-T1-RE3, Силовой МОП-транзистор, N Channel, 150 В, 29 А, 0.0285 Ом, PowerPAK SO, Surface Mou
В избранноеВ сравнение
- Обзор
- Характеристики
- Отзывы (0)
- Реквизиты
Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Одиночные МОП-транзисторыN-channel 150V (D-S) MOSFET suitable for use in fixed telecom, DC/DC converter, primary and secondary side switch, battery management and synchronous rectification.
• ThunderFET® technology optimizes balance of RDS(on), Qi, Qsw and Qoss• 100% Rg and UIS tested
• ThunderFET® technology optimizes balance of RDS(on), Qi, Qsw and Qoss• 100% Rg and UIS tested
Отзывов нет
![IKW30N60TFKSA1 (K30T60), Транзистор, IGBT, Trench and Fieldstop, N-канал, 600В, 30А, [TO-247]](/wa-data/public/shop/products/45/75/27545/images/38153/38153.300x0.jpg "IKW30N60TFKSA1 (K30T60), Транзистор, IGBT, Trench and Fieldstop, N-канал, 600В, 30А, [TO-247]")
![2SD718, Транзистор биполярный, NPN, Ic=8А, Vceo=120В, Vcbo=120В, Pd=80Вт [TO-3PN] (=KTD718)](/wa-data/public/shop/products/95/54/185495/images/221666/221666.300x0.jpg "2SD718, Транзистор биполярный, NPN, Ic=8А, Vceo=120В, Vcbo=120В, Pd=80Вт [TO-3PN] (=KTD718)")
