SIR608DP-T1-RE3

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор 45V Vds;20/-16V Vgs PowerPAK SO-8
Основные
вид монтажаSMD/SMT
категория продуктаМОП-транзистор
максимальная рабочая температура+ 150 C
минимальная рабочая температура55 C
500
+
Бонус: 10 !
Бонусная программа
Итого: 500
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор 45V Vds;20/-16V Vgs PowerPAK SO-8
Основные
вид монтажаSMD/SMT
категория продуктаМОП-транзистор
максимальная рабочая температура+ 150 C
минимальная рабочая температура55 C
подкатегорияMOSFETs
размер фабричной упаковки3000
тип продуктаMOSFET
торговая маркаVishay
упаковка / блокPowerPAK SO-8
время нарастания10 ns
время спада8 ns
pd - рассеивание мощности104 W
количество каналов1 Channel
Вес и габариты
технологияSi
конфигурацияSingle
id - непрерывный ток утечки208 A
qg - заряд затвора167 nC
rds вкл - сопротивление сток-исток1.2 mOhms
vds - напряжение пробоя сток-исток45 V
vgs - напряжение затвор-исток16 V, 20 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток1.1 V
канальный режимEnhancement
крутизна характеристики прямой передачи - мин.120 S
полярность транзистораN-Channel
тип транзистора1 N-Channel
типичное время задержки выключения50 ns
типичное время задержки при включении19 ns
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль