SIR606BDP-T1-RE3

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор 100V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
Основные
вид монтажаSMD/SMT
категория продуктаМОП-транзистор
максимальная рабочая температура+ 150 C
минимальная рабочая температура55 C
440
+
Бонус: 8.8 !
Бонусная программа
Итого: 440
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор 100V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
Основные
вид монтажаSMD/SMT
категория продуктаМОП-транзистор
максимальная рабочая температура+ 150 C
минимальная рабочая температура55 C
подкатегорияMOSFETs
размер фабричной упаковки3000
тип продуктаMOSFET
торговая маркаVishay / Siliconix
упаковка / блокPowerPAK-SO-8
серияSIR
время нарастания5 ns
время спада5 ns
линейка продукцииTrenchFET Gen IV
коммерческое обозначениеTrenchFET, PowerPAK
количество выводов8вывод(-ов)
pd - рассеивание мощности62.5 W
количество каналов1 Channel
уровень чувствительности к влажности (msl)MSL 1-Безлимитный
Вес и габариты
технологияSi
конфигурацияSingle
channel typeN Channel
рассеиваемая мощность62.5Вт
power dissipation62.5Вт
напряжение истока-стока vds100В
id - непрерывный ток утечки38.7 A
qg - заряд затвора20 nC
rds вкл - сопротивление сток-исток14.5 mOhms
vds - напряжение пробоя сток-исток100 V
vgs - напряжение затвор-исток20 V, + 20 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток2 V
канальный режимEnhancement
полярность транзистораN-Channel
тип транзистора1 N-Channel
типичное время задержки выключения19 ns
типичное время задержки при включении12 ns
стиль корпуса транзистораPowerPAK SO
непрерывный ток стока38.7А
сопротивление во включенном состоянии rds(on)0.0145Ом
напряжение измерения rds(on)10В
пороговое напряжение vgs
монтаж транзистораSurface Mount
drain source on state resistance0.0145Ом
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль