SIR470DP-T1-GE3
Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
- Обзор
- Характеристики
- Отзывы (0)
- Реквизиты
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор 40V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
| Основные | |
| вес, г | 0.5066 |
| вид монтажа | SMD/SMT |
| категория продукта | МОП-транзистор |
| максимальная рабочая температура | + 150 C |
| минимальная рабочая температура | 55 C |
| подкатегория | MOSFETs |
| размер фабричной упаковки | 3000 |
| тип продукта | MOSFET |
| торговая марка | Vishay Semiconductors |
| упаковка / блок | PowerPAK-SO-8 |
| серия | SIR |
| длина | 6.15 mm |
| время нарастания | 11 ns |
| время спада | 9 ns |
| коммерческое обозначение | TrenchFET, PowerPAK |
| pin count | 8 |
| packaging | Tape and Reel |
| product category | Power MOSFET |
| pd - рассеивание мощности | 104 W |
| другие названия товара № | SIR814DP-T1-GE3 |
| количество каналов | 1 Channel |
| automotive | No |
| eu rohs | Compliant with Exemption |
| lead shape | No Lead |
| maximum operating temperature (°c) | 150 |
| mounting | Surface Mount |
| part status | Active |
| pcb changed | 8 |
| ppap | No |
| standard package name | SO |
| supplier package | PowerPAK SO EP |
| eccn (us) | EAR99 |
| maximum power dissipation (mw) | 6250 |
| minimum operating temperature (°c) | -55 |
| configuration | Single Quad Drain Triple Source |
| process technology | TrenchFET |
| Вес и габариты | |
| технология | Si |
| number of elements per chip | 1 |
| конфигурация | Single |
| channel type | N |
| id - непрерывный ток утечки | 60 A |
| qg - заряд затвора | 155 nC |
| rds вкл - сопротивление сток-исток | 1.9 mOhms |
| vds - напряжение пробоя сток-исток | 40 V |
| vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
| vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 1 V |
| канальный режим | Enhancement |
| крутизна характеристики прямой передачи - мин. | 190 S |
| полярность транзистора | N-Channel |
| тип транзистора | 1 N-Channel |
| типичное время задержки выключения | 50 ns |
| типичное время задержки при включении | 16 ns |
| channel mode | Enhancement |
| maximum continuous drain current (a) | 60 |
| maximum drain source resistance (mohm) | 2.3 10V |
| maximum drain source voltage (v) | 40 |
| maximum gate source leakage current (na) | 100 |
| maximum gate source voltage (v) | ±20 |
| maximum gate threshold voltage (v) | 2.5 |
| maximum idss (ua) | 1 |
| typical fall time (ns) | 39 |
| typical gate charge @ 10v (nc) | 102 |
| typical gate charge @ vgs (nc) | 102 10V|45.5 4.5V |
| typical input capacitance @ vds (pf) | 5660 20V |
| typical rise time (ns) | 31 |
| typical turn-off delay time (ns) | 85 |
| typical turn-on delay time (ns) | 40 |
| operating junction temperature (°c) | -55 to 150 |
| typical output capacitance (pf) | 720 |
| maximum continuous drain current on pcb @ tc=25°c (a) | 38.8 |
| maximum diode forward voltage (v) | 1.1 |
| maximum gate resistance (ohm) | 2 |
| maximum junction ambient thermal resistance on pcb (°c/w) | 54 |
| maximum positive gate source voltage (v) | 20 |
| maximum power dissipation on pcb @ tc=25°c (w) | 6.25 |
| maximum pulsed drain current @ tc=25°c (a) | 100 |
| minimum gate resistance (ohm) | 0.2 |
| minimum gate threshold voltage (v) | 1 |
| typical diode forward voltage (v) | 0.73 |
| typical gate plateau voltage (v) | 2.7 |
| typical gate to drain charge (nc) | 14.4 |
| typical gate to source charge (nc) | 13.8 |
| typical reverse recovery charge (nc) | 53 |
| typical reverse recovery time (ns) | 39 |
| typical reverse transfer capacitance @ vds (pf) | 327 20V |
| Высота | 1.04 мм |
| Ширина | 5.15 мм |
Отзывов нет
Компания ООО "Телеметрия"
- Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ" Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38 ИНН 7536172565 КПП 381201001 ОГРН 1187536004215 Расчетный счет 40702810010000426573 Банк АО «Тинькофф Банк» БИК банка 044525974 ИНН банка 7710140679 Корреспондентский счет банка 30101810145250000974 Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26
![NCE3050, Транзистор MOSFET N-канал 30V 50A [TO-220]](/wa-data/public/shop/products/34/17/211734/images/243267/243267.300x0.jpg "NCE3050, Транзистор MOSFET N-канал 30V 50A [TO-220]")
![KBP210 (RS207), Диодный мост 2А 1000В [KBP]](/wa-data/public/shop/products/33/37/123733/images/155187/155187.300x0.jpg "KBP210 (RS207), Диодный мост 2А 1000В [KBP]")
