SIR184DP-T1-RE3

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Designed for efficient power conversion in systems over 150 W with very low gate charge and output capacitance.
Основные
максимальная рабочая температура150 C
линейка продукцииTrenchFET Gen IV
количество выводов8вывод(-ов)
уровень чувствительности к влажности (msl)MSL 1-Безлимитный
380
+
Бонус: 7.6 !
Бонусная программа
Итого: 380
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Designed for efficient power conversion in systems over 150 W with very low gate charge and output capacitance.
Основные
максимальная рабочая температура150 C
линейка продукцииTrenchFET Gen IV
количество выводов8вывод(-ов)
уровень чувствительности к влажности (msl)MSL 1-Безлимитный
Вес и габариты
channel typeN Channel
рассеиваемая мощность62.5Вт
power dissipation62.5Вт
напряжение истока-стока vds60В
полярность транзистораN Канал
стиль корпуса транзистораPowerPAK SO
непрерывный ток стока73А
сопротивление во включенном состоянии rds(on)0.0047Ом
напряжение измерения rds(on)10В
пороговое напряжение vgs3.4В
монтаж транзистораSurface Mount
drain source on state resistance0.0047Ом
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль