Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Одиночные МОП-транзисторыDesigned for efficient power conversion in systems over 150 W with very low gate charge and output capacitance.

Подробное описание

Основные
вес, г	0.07
максимальная рабочая температура	150 C
линейка продукции	TrenchFET Gen IV
количество выводов	8вывод(-ов)

Все характеристики

270 ₽

– +

Бонус: 5.4 !

Бонусная программа

Итого: 270 ₽

Купить

Обзор
Характеристики
Отзывы (0)
Реквизиты

Основные
вес, г	0.07
максимальная рабочая температура	150 C
линейка продукции	TrenchFET Gen IV
количество выводов	8вывод(-ов)
уровень чувствительности к влажности (msl)	MSL 1-Безлимитный
Вес и габариты
channel type	N Channel
рассеиваемая мощность	62.5Вт
power dissipation	62.5Вт
напряжение истока-стока vds	60В
полярность транзистора	N Канал
стиль корпуса транзистора	PowerPAK SO
непрерывный ток стока	73А
сопротивление во включенном состоянии rds(on)	0.0047Ом
напряжение измерения rds(on)	10В
пороговое напряжение vgs	3.4В
монтаж транзистора	Surface Mount
drain source on state resistance	0.0047Ом

Отзывов нет

Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ"
Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38
ИНН 7536172565
КПП 381201001
ОГРН 1187536004215
Расчетный счет 40702810010000426573
Банк АО «Тинькофф Банк»
БИК банка 044525974
ИНН банка 7710140679
Корреспондентский счет банка 30101810145250000974
Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26

Кнопки

C этим товаром покупают

Быстрый просмотр

STP60NF06, Транзистор MOSFET N-CH 60А 60В [TO-220]

Быстрый просмотр

BC856W,135, Bipolar Transistors - BJT BC856W/SOT323/SC-70

Быстрый просмотр

SIR184DP-T1-RE3, Силовой МОП-транзистор, N Channel, 60 В, 73 А, 0.0047 Ом, PowerPAK SO, Surface Moun

C этим товаром покупают

Похожие товары Сравнить все