SIR180DP-T1-RE3, Силовой МОП-транзистор, N Channel, 60 В, 60 А, 0.0017 Ом, PowerPAK SO, Surface Moun

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: SIR180DP-T1-RE3
Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Одиночные МОП-транзисторы
Основные
вес, г0.5
максимальная рабочая температура150 C
линейка продукцииTrenchFET Gen IV
количество выводов8вывод(-ов)
350
+
Бонус: 7 !
Бонусная программа
Итого: 350
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Одиночные МОП-транзисторы
Основные
вес, г0.5
максимальная рабочая температура150 C
линейка продукцииTrenchFET Gen IV
количество выводов8вывод(-ов)
уровень чувствительности к влажности (msl)MSL 1-Безлимитный
Вес и габариты
channel typeN Channel
рассеиваемая мощность83.3Вт
power dissipation83.3Вт
напряжение истока-стока vds60В
полярность транзистораN Канал
стиль корпуса транзистораPowerPAK SO
непрерывный ток стока60А
сопротивление во включенном состоянии rds(on)0.0017Ом
напряжение измерения rds(on)10В
пороговое напряжение vgs3.6В
монтаж транзистораSurface Mount
drain source on state resistance0.0017Ом
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль