Semiconductors\Discrete Semiconductors\MOSFETsThe Vishay N-Channel 20 V (D-S) MOSFET has PowerPAK SO-8 package type with 430 A drain current. TrenchFET Gen IV power MOSFET

Подробное описание

Основные
mounting type	Surface Mount
package type	PowerPAK SO-8
pin count	8
Вес и габариты

Все характеристики

210 ₽

– +

Бонус: 4.2 !

Бонусная программа

Итого: 210 ₽

Купить

Обзор
Характеристики
Отзывы (0)
Реквизиты

Semiconductors\Discrete Semiconductors\MOSFETsThe Vishay N-Channel 20 V (D-S) MOSFET has PowerPAK SO-8 package type with 430 A drain current. TrenchFET Gen IV power MOSFET

Основные
mounting type	Surface Mount
package type	PowerPAK SO-8
pin count	8
Вес и габариты
number of elements per chip	1
channel type	N
maximum drain source voltage	20 V
maximum continuous drain current	430 A
maximum gate threshold voltage	0.6 → 1.5V
maximum drain source resistance	0.00031 Ω

Отзывов нет

Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ"
Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38
ИНН 7536172565
КПП 381201001
ОГРН 1187536004215
Расчетный счет 40702810010000426573
Банк АО «Тинькофф Банк»
БИК банка 044525974
ИНН банка 7710140679
Корреспондентский счет банка 30101810145250000974
Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26

Кнопки