Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Одиночные МОП-транзисторы

Подробное описание

Основные
вес, г	0.07
максимальная рабочая температура	150 C
линейка продукции	TrenchFET Gen IV
количество выводов	8вывод(-ов)

470 ₽

– +

Бонус: 9.4 !

Бонусная программа

Итого: 470 ₽

Купить

Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Одиночные МОП-транзисторы

Основные
вес, г	0.07
максимальная рабочая температура	150 C
линейка продукции	TrenchFET Gen IV
количество выводов	8вывод(-ов)
уровень чувствительности к влажности (msl)	MSL 1-Безлимитный
Вес и габариты
channel type	N Channel
рассеиваемая мощность	104Вт
power dissipation	104Вт
напряжение истока-стока vds	25В
полярность транзистора	N Канал
стиль корпуса транзистора	PowerPAK SO
непрерывный ток стока	100А
сопротивление во включенном состоянии rds(on)	540мкОм
напряжение измерения rds(on)	10В
пороговое напряжение vgs	2.1В
монтаж транзистора	Surface Mount
drain source on state resistance	540мкОм

0.0

общая оценка

Всего 0 отзывов

0 отзывов

Отзывов нет

Кнопки

SIR140DP-T1-RE3, Силовой МОП-транзистор, N Channel, 25 В, 100 А, 540 мкОм, PowerPAK SO, Surface Moun