SIR140DP-T1-RE3, Силовой МОП-транзистор, N Channel, 25 В, 100 А, 540 мкОм, PowerPAK SO, Surface Moun

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: SIR140DP-T1-RE3
Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Одиночные МОП-транзисторы
Основные
вес, г0.07
максимальная рабочая температура150 C
линейка продукцииTrenchFET Gen IV
количество выводов8вывод(-ов)
470
+
Бонус: 9.4 !
Бонусная программа
Итого: 470
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Одиночные МОП-транзисторы
Основные
вес, г0.07
максимальная рабочая температура150 C
линейка продукцииTrenchFET Gen IV
количество выводов8вывод(-ов)
уровень чувствительности к влажности (msl)MSL 1-Безлимитный
Вес и габариты
channel typeN Channel
рассеиваемая мощность104Вт
power dissipation104Вт
напряжение истока-стока vds25В
полярность транзистораN Канал
стиль корпуса транзистораPowerPAK SO
непрерывный ток стока100А
сопротивление во включенном состоянии rds(on)540мкОм
напряжение измерения rds(on)10В
пороговое напряжение vgs2.1В
монтаж транзистораSurface Mount
drain source on state resistance540мкОм
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль