SIR112DP-T1-RE3

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор 40V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
Основные
вид монтажаSMD/SMT
категория продуктаМОП-транзистор
максимальная рабочая температура+ 150 C
минимальная рабочая температура55 C
430
+
Бонус: 8.6 !
Бонусная программа
Итого: 430
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор 40V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
Основные
вид монтажаSMD/SMT
категория продуктаМОП-транзистор
максимальная рабочая температура+ 150 C
минимальная рабочая температура55 C
подкатегорияMOSFETs
размер фабричной упаковки3000
тип продуктаMOSFET
торговая маркаVishay Semiconductors
упаковкаReel, Cut Tape
упаковка / блокPowerPAK-SO-8
серияSIR
время нарастания27 ns
время спада10 ns
коммерческое обозначениеTrenchFET, PowerPAK
pd - рассеивание мощности62.5 W
количество каналов1 Channel
Вес и габариты
технологияSi
конфигурацияSingle
id - непрерывный ток утечки133 A
qg - заряд затвора59 nC
rds вкл - сопротивление сток-исток1.96 mOhms
vds - напряжение пробоя сток-исток40 V
vgs - напряжение затвор-исток10 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток1.1 V
канальный режимEnhancement
крутизна характеристики прямой передачи - мин.151 S
полярность транзистораN-Channel
тип транзистора1 N-Channel
типичное время задержки выключения28 ns
типичное время задержки при включении15 ns
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль