SIJA22DP-T1-GE3

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор 25V N-CHANNEL (D-S)
Основные
вид монтажаSMD/SMT
категория продуктаМОП-транзистор
максимальная рабочая температура+ 150 C
минимальная рабочая температура55 C
410
+
Бонус: 8.2 !
Бонусная программа
Итого: 410
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор 25V N-CHANNEL (D-S)
Основные
вид монтажаSMD/SMT
категория продуктаМОП-транзистор
максимальная рабочая температура+ 150 C
минимальная рабочая температура55 C
подкатегорияMOSFETs
размер фабричной упаковки3000
тип продуктаMOSFET
торговая маркаVishay / Siliconix
упаковка / блокPowerPAK-SO-8L
время нарастания6 ns
время спада6 ns
коммерческое обозначениеTrenchFET
pd - рассеивание мощности48 W
количество каналов1 Channel
Вес и габариты
технологияSi
id - непрерывный ток утечки201 A
qg - заряд затвора83 nC
rds вкл - сопротивление сток-исток740 uOhms
vds - напряжение пробоя сток-исток25 V
vgs - напряжение затвор-исток16 V, + 20 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток2.2 V
канальный режимEnhancement
крутизна характеристики прямой передачи - мин.155 S
полярность транзистораN-Channel
тип транзистораTrenchFET Power MOSFET
типичное время задержки выключения39 ns
типичное время задержки при включении15 ns
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль