SIHW33N60E-GE3

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор 600V Vds 30V Vgs TO-247AD
Основные
вес, г38
вид монтажаThrough Hole
категория продуктаМОП-транзистор
максимальная рабочая температура+ 150 C
2 050
+
Бонус: 41 !
Бонусная программа
Итого: 2 050
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор 600V Vds 30V Vgs TO-247AD
Основные
вес, г38
вид монтажаThrough Hole
категория продуктаМОП-транзистор
максимальная рабочая температура+ 150 C
минимальная рабочая температура55 C
подкатегорияMOSFETs
размер фабричной упаковки480
тип продуктаMOSFET
торговая маркаVishay / Siliconix
упаковкаTube
упаковка / блокTO-247AD-3
серияE
время нарастания60 ns
время спада54 ns
pd - рассеивание мощности278 W
количество каналов1 Channel
Вес и габариты
технологияSi
конфигурацияSingle
id - непрерывный ток утечки33 A
qg - заряд затвора100 nC
rds вкл - сопротивление сток-исток99 mOhms
vds - напряжение пробоя сток-исток600 V
vgs - напряжение затвор-исток30 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток4 V
канальный режимEnhancement
полярность транзистораN-Channel
типичное время задержки выключения99 ns
типичное время задержки при включении28 ns
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль