SIHU6N65E-GE3

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
МОП-транзистор 650V Vds 30V Vgs IPAK (TO-251)
Основные
вид монтажаThrough Hole
категория продуктаМОП-транзистор
максимальная рабочая температура+ 150 C
минимальная рабочая температура55 C
510
+
Бонус: 10.2 !
Бонусная программа
Итого: 510
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
МОП-транзистор 650V Vds 30V Vgs IPAK (TO-251)
Основные
вид монтажаThrough Hole
категория продуктаМОП-транзистор
максимальная рабочая температура+ 150 C
минимальная рабочая температура55 C
подкатегорияMOSFETs
размер фабричной упаковки3000
тип продуктаMOSFET
торговая маркаVishay / Siliconix
упаковкаTube
упаковка / блокTO-251-3
серияE
длина6.73 mm
время нарастания12 ns
время спада20 ns
pd - рассеивание мощности78 W
количество каналов1 Channel
Вес и габариты
технологияSi
конфигурацияSingle
id - непрерывный ток утечки7 A
qg - заряд затвора24 nC
rds вкл - сопротивление сток-исток600 mOhms
vds - напряжение пробоя сток-исток650 V
vgs - напряжение затвор-исток30 V, + 30 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток4 V
канальный режимEnhancement
полярность транзистораN-Channel
типичное время задержки выключения30 ns
типичное время задержки при включении14 ns
Высота 6.22 мм
Ширина2.39 мм
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль