SIHU2N80AE-GE3, N-Channel MOSFET, 2.9 A, 800 V, 3-Pin IPAK SIHU2N80AE-GE3

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: SIHU2N80AE-GE3
N-канал 800 В, 2,9 A (Tc), 62,5 Вт (Tc), сквозное отверстие TO-251AA
Основные
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mounting typeThrough Hole
operating temperature-55В°C ~ 150В°C (TJ)
packageTube
170
+
Бонус: 3.4 !
Бонусная программа
Итого: 170
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
N-канал 800 В, 2,9 A (Tc), 62,5 Вт (Tc), сквозное отверстие TO-251AA
Основные
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mounting typeThrough Hole
operating temperature-55В°C ~ 150В°C (TJ)
packageTube
package / caseTO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
rohs statusROHS3 Compliant
eccnEAR99
htsus8541.29.0095
supplier device packageTO-251AA
seriesE ->
Вес и габариты
technologyMOSFET (Metal Oxide)
current - continuous drain (id) @ 25в°c2.9A (Tc)
drain to source voltage (vdss)800V
drive voltage (max rds on, min rds on)10V
fet typeN-Channel
gate charge (qg) (max) @ vgs10.5nC @ 10V
input capacitance (ciss) (max) @ vds180pF @ 100V
power dissipation (max)62.5W (Tc)
rds on (max) @ id, vgs2.9Ohm @ 500mA, 10V
vgs (max)В±30V
vgs(th) (max) @ id4V @ 250ВµA
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль