SIHP33N60E-GE3, Trans MOSFET N-CH 600V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: SIHP33N60E-GE3
- Обзор
- Характеристики
- Отзывы (0)
- Реквизиты
Diodes, Transistors and Thyristors\FET Transistors\MOSFETsTrans MOSFET N-CH 600V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
| Основные | |
| вид монтажа | Through Hole |
| категория продукта | МОП-транзистор |
| максимальная рабочая температура | + 150 C |
| минимальная рабочая температура | 55 C |
| подкатегория | MOSFETs |
| размер фабричной упаковки | 50 |
| тип продукта | MOSFET |
| торговая марка | Vishay / Siliconix |
| упаковка | Tube |
| упаковка / блок | TO-220-3 |
| серия | E |
| длина | 10.41 mm |
| время нарастания | 60 ns |
| время спада | 54 ns |
| pin count | 3 |
| product category | Power MOSFET |
| pd - рассеивание мощности | 278 W |
| количество каналов | 1 Channel |
| automotive | No |
| eu rohs | Compliant |
| maximum operating temperature (°c) | 150 |
| mounting | Through Hole |
| part status | Active |
| pcb changed | 3 |
| ppap | No |
| standard package name | TO-220 |
| supplier package | TO-220AB |
| eccn (us) | EAR99 |
| maximum power dissipation (mw) | 278000 |
| minimum operating temperature (°c) | -55 |
| configuration | Single |
| Вес и габариты | |
| технология | Si |
| number of elements per chip | 1 |
| конфигурация | Single |
| channel type | N |
| tab | Tab |
| id - непрерывный ток утечки | 33 A |
| qg - заряд затвора | 155 nC |
| rds вкл - сопротивление сток-исток | 99 mOhms |
| vds - напряжение пробоя сток-исток | 600 V |
| vgs - напряжение затвор-исток | 30 V, + 30 V |
| vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 4 V |
| канальный режим | Enhancement |
| полярность транзистора | N-Channel |
| типичное время задержки выключения | 99 ns |
| типичное время задержки при включении | 28 ns |
| channel mode | Enhancement |
| maximum continuous drain current (a) | 33 |
| maximum drain source resistance (mohm) | 99 10V |
| maximum drain source voltage (v) | 600 |
| maximum gate source leakage current (na) | 100 |
| maximum gate source voltage (v) | ±20 |
| maximum gate threshold voltage (v) | 4 |
| maximum idss (ua) | 1 |
| typical fall time (ns) | 54 |
| typical gate charge @ 10v (nc) | 100 |
| typical gate charge @ vgs (nc) | 100 10V |
| typical input capacitance @ vds (pf) | 3508 100V |
| typical rise time (ns) | 60 |
| typical turn-off delay time (ns) | 99 |
| typical turn-on delay time (ns) | 28 |
| Высота | 15.49 мм |
| Ширина | 4.7 мм |
Отзывов нет
Компания ООО "Телеметрия"
- Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ" Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38 ИНН 7536172565 КПП 381201001 ОГРН 1187536004215 Расчетный счет 40702810010000426573 Банк АО «Тинькофф Банк» БИК банка 044525974 ИНН банка 7710140679 Корреспондентский счет банка 30101810145250000974 Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26
![NCE3050, Транзистор MOSFET N-канал 30V 50A [TO-220]](/wa-data/public/shop/products/34/17/211734/images/243267/243267.300x0.jpg "NCE3050, Транзистор MOSFET N-канал 30V 50A [TO-220]")
![KBP210 (RS207), Диодный мост 2А 1000В [KBP]](/wa-data/public/shop/products/33/37/123733/images/155187/155187.300x0.jpg "KBP210 (RS207), Диодный мост 2А 1000В [KBP]")
