SIHP22N60EF-GE3, EF Series MOSFET, Single - N-Channel, 600V, 19A, TO-220AB

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: SIHP22N60EF-GE3
N-канал 600V 19A (Tc) 179W (Tc) сквозное отверстие TO-220AB
Основные
вес, г2
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mounting typeThrough Hole
operating temperature-55В°C ~ 150В°C (TJ)
800
+
Бонус: 16 !
Бонусная программа
Итого: 800
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
N-канал 600V 19A (Tc) 179W (Tc) сквозное отверстие TO-220AB
Основные
вес, г2
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mounting typeThrough Hole
operating temperature-55В°C ~ 150В°C (TJ)
packageTube
package / caseTO-220-3
rohs statusROHS3 Compliant
eccnEAR99
htsus8541.29.0095
supplier device packageTO-220AB
seriesEF ->
base product numberSIHP22 ->
Вес и габариты
technologyMOSFET (Metal Oxide)
current - continuous drain (id) @ 25в°c19A (Tc)
drain to source voltage (vdss)600V
drive voltage (max rds on, min rds on)10V
fet typeN-Channel
gate charge (qg) (max) @ vgs96nC @ 10V
input capacitance (ciss) (max) @ vds1423pF @ 100V
power dissipation (max)179W (Tc)
rds on (max) @ id, vgs182mOhm @ 11A, 10V
vgs (max)В±30V
vgs(th) (max) @ id4V @ 250ВµA
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль