SIHP21N80AE-GE3, Силовой МОП-транзистор, N Канал, 800 В, 17.4 А, 0.205 Ом, TO-220AB, Through Hole

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: SIHP21N80AE-GE3
N-канал 800 В 17,4 A (Tc) 32 Вт (Tc) сквозное отверстие TO-220AB
Основные
вес, г1
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mounting typeThrough Hole
operating temperature-55В°C ~ 150В°C (TJ)
500
+
Бонус: 10 !
Бонусная программа
Итого: 500
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
N-канал 800 В 17,4 A (Tc) 32 Вт (Tc) сквозное отверстие TO-220AB
Основные
вес, г1
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mounting typeThrough Hole
operating temperature-55В°C ~ 150В°C (TJ)
packageTube
package / caseTO-220-3
rohs statusROHS3 Compliant
eccnEAR99
htsus8541.29.0095
supplier device packageTO-220AB
seriesE ->
base product numberSIHP21 ->
Вес и габариты
technologyMOSFET (Metal Oxide)
current - continuous drain (id) @ 25в°c17.4A (Tc)
drain to source voltage (vdss)800V
drive voltage (max rds on, min rds on)10V
fet typeN-Channel
gate charge (qg) (max) @ vgs72nC @ 10V
input capacitance (ciss) (max) @ vds1388pF @ 100V
power dissipation (max)32W (Tc)
rds on (max) @ id, vgs235mOhm @ 11A, 10V
vgs (max)В±30V
vgs(th) (max) @ id4V @ 250ВµA
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль