SIHP21N80AE-GE3, Силовой МОП-транзистор, N Канал, 800 В, 17.4 А, 0.205 Ом, TO-220AB, Through Hole
Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул:SIHP21N80AE-GE3
Обзор
Характеристики
Отзывы (0)
Реквизиты
N-канал 800 В 17,4 A (Tc) 32 Вт (Tc) сквозное отверстие TO-220AB
Основные
вес, г
1
moisture sensitivity level (msl)
1 (Unlimited)
mounting type
Through Hole
operating temperature
-55В°C ~ 150В°C (TJ)
package
Tube
package / case
TO-220-3
rohs status
ROHS3 Compliant
eccn
EAR99
htsus
8541.29.0095
supplier device package
TO-220AB
series
E ->
base product number
SIHP21 ->
Вес и габариты
technology
MOSFET (Metal Oxide)
current - continuous drain (id) @ 25в°c
17.4A (Tc)
drain to source voltage (vdss)
800V
drive voltage (max rds on, min rds on)
10V
fet type
N-Channel
gate charge (qg) (max) @ vgs
72nC @ 10V
input capacitance (ciss) (max) @ vds
1388pF @ 100V
power dissipation (max)
32W (Tc)
rds on (max) @ id, vgs
235mOhm @ 11A, 10V
vgs (max)
В±30V
vgs(th) (max) @ id
4V @ 250ВµA
Отзывов нет
Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ"
Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38
ИНН 7536172565
КПП 381201001
ОГРН 1187536004215
Расчетный счет 40702810010000426573
Банк АО «Тинькофф Банк»
БИК банка 044525974
ИНН банка 7710140679
Корреспондентский счет банка 30101810145250000974
Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26