SIHP10N40D-GE3

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор 400V Vds 30V Vgs TO-220AB
Основные
вес, г6
вид монтажаThrough Hole
категория продуктаМОП-транзистор
максимальная рабочая температура+ 150 C
440
+
Бонус: 8.8 !
Бонусная программа
Итого: 440
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор 400V Vds 30V Vgs TO-220AB
Основные
вес, г6
вид монтажаThrough Hole
категория продуктаМОП-транзистор
максимальная рабочая температура+ 150 C
минимальная рабочая температура55 C
подкатегорияMOSFETs
размер фабричной упаковки50
тип продуктаMOSFET
торговая маркаVishay / Siliconix
упаковкаTube
упаковка / блокTO-220-3
серияE
длина10.41 mm
время нарастания18 ns
время спада14 ns
коммерческое обозначениеTrenchFET
pd - рассеивание мощности147 W
количество каналов1 Channel
Вес и габариты
технологияSi
конфигурацияSingle
id - непрерывный ток утечки10 A
qg - заряд затвора15 nC
rds вкл - сопротивление сток-исток600 mOhms
vds - напряжение пробоя сток-исток400 V
vgs - напряжение затвор-исток30 V, + 30 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток5 V
канальный режимEnhancement
полярность транзистораN-Channel
типичное время задержки выключения18 ns
типичное время задержки при включении12 ns
Высота 15.49 мм
Ширина4.7 мм
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль