SIHL630STRL-GE3

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор 200V Vds 10V Vgs D2PAK (TO-263)
Основные
вес, г3
вид монтажаSMD/SMT
категория продуктаМОП-транзистор
максимальная рабочая температура+ 150 C
390
+
Бонус: 7.8 !
Бонусная программа
Итого: 390
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор 200V Vds 10V Vgs D2PAK (TO-263)
Основные
вес, г3
вид монтажаSMD/SMT
категория продуктаМОП-транзистор
максимальная рабочая температура+ 150 C
минимальная рабочая температура55 C
подкатегорияMOSFETs
размер фабричной упаковки800
тип продуктаMOSFET
торговая маркаVishay Semiconductors
упаковка / блокTO-263-3
серияSIH
длина10.67 mm
время нарастания57 ns
время спада33 ns
pd - рассеивание мощности74 W
количество каналов1 Channel
Вес и габариты
технологияSi
конфигурацияSingle
id - непрерывный ток утечки9 A
qg - заряд затвора40 nC
rds вкл - сопротивление сток-исток400 mOhms
vds - напряжение пробоя сток-исток200 V
vgs - напряжение затвор-исток10 V, + 10 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток1 V
канальный режимEnhancement
крутизна характеристики прямой передачи - мин.4.8 S
полярность транзистораN-Channel
тип транзистора1 N-Channel
типичное время задержки выключения38 ns
типичное время задержки при включении8 ns
Высота 4.83 мм
Ширина9.65 мм
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль