SIHJ10N60E-T1-GE3

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор 600V Vds 30V Vgs PowerPAK SO-8L
Основные
вес, г0.5066
вид монтажаSMD/SMT
категория продуктаМОП-транзистор
максимальная рабочая температура+ 150 C
880
+
Бонус: 17.6 !
Бонусная программа
Итого: 880
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор 600V Vds 30V Vgs PowerPAK SO-8L
Основные
вес, г0.5066
вид монтажаSMD/SMT
категория продуктаМОП-транзистор
максимальная рабочая температура+ 150 C
минимальная рабочая температура55 C
подкатегорияMOSFETs
размер фабричной упаковки3000
тип продуктаMOSFET
торговая маркаVishay Semiconductors
упаковка / блокPowerPAK-SO-8-4
серияE
время нарастания24 ns
время спада13 ns
pd - рассеивание мощности89 W
количество каналов1 Channel
Вес и габариты
технологияSi
конфигурацияSingle
id - непрерывный ток утечки10 A
qg - заряд затвора25 nC
rds вкл - сопротивление сток-исток313 mOhms
vds - напряжение пробоя сток-исток600 V
vgs - напряжение затвор-исток30 V, + 30 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток4.5 V
канальный режимEnhancement
полярность транзистораN-Channel
типичное время задержки выключения31 ns
типичное время задержки при включении16 ns
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль