SIHH186N60EF-T1GE3

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор EF Series Power МОП-транзистор With Fast Body Diode
Основные
вид монтажаSMD/SMT
категория продуктаМОП-транзистор
максимальная рабочая температура+ 150 C
минимальная рабочая температура55 C
1 510
+
Бонус: 30.2 !
Бонусная программа
Итого: 1 510
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор EF Series Power МОП-транзистор With Fast Body Diode
Основные
вид монтажаSMD/SMT
категория продуктаМОП-транзистор
максимальная рабочая температура+ 150 C
минимальная рабочая температура55 C
подкатегорияMOSFETs
размер фабричной упаковки3000
тип продуктаMOSFET
торговая маркаVishay / Siliconix
упаковка / блокPowerPAK 8 x 8
серияEF
время нарастания23 ns
время спада16 ns
коммерческое обозначениеTrenchFET
количество каналов1 Channel
Вес и габариты
технологияSi
id - непрерывный ток утечки16 A
qg - заряд затвора21 nC
rds вкл - сопротивление сток-исток168 mOhms
vds - напряжение пробоя сток-исток600 V
vgs - напряжение затвор-исток30 V, + 30 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток5 V
канальный режимEnhancement
полярность транзистораN-Channel
типичное время задержки выключения25 ns
типичное время задержки при включении14 ns
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль