SIHG73N60E-GE3, SIHG73N60E-GE3 Vishay MOSFETs Transistor N-CH 600V 73A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC - Arrow
Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: SIHG73N60E-GE3
- Обзор
- Характеристики
- Отзывы (0)
- Реквизиты
МОП-транзистор 600V Vds 30V Vgs TO-247AC
| Основные | |
| вид монтажа | Through Hole |
| категория продукта | МОП-транзистор |
| максимальная рабочая температура | + 150 C |
| минимальная рабочая температура | 55 C |
| подкатегория | MOSFETs |
| размер фабричной упаковки | 500 |
| тип продукта | MOSFET |
| торговая марка | Vishay / Siliconix |
| упаковка | Tube |
| упаковка / блок | TO-247-3 |
| серия | E |
| длина | 15.87 mm |
| время нарастания | 105 ns |
| время спада | 120 ns |
| pin count | 3 |
| product category | Power MOSFET |
| pd - рассеивание мощности | 520 W |
| количество каналов | 1 Channel |
| automotive | No |
| eu rohs | Compliant |
| lead shape | Through Hole |
| maximum operating temperature (°c) | 150 |
| mounting | Through Hole |
| part status | Active |
| pcb changed | 3 |
| standard package name | TO-247 |
| supplier package | TO-247AC |
| eccn (us) | EAR99 |
| maximum power dissipation (mw) | 520000 |
| minimum operating temperature (°c) | -55 |
| configuration | Single |
| hts | 8541.29.00.95 |
| package height | 20.7(Max) |
| package length | 15.87(Max) |
| package width | 5.31(Max) |
| Вес и габариты | |
| технология | Si |
| number of elements per chip | 1 |
| конфигурация | Single |
| channel type | N |
| tab | Tab |
| id - непрерывный ток утечки | 73 A |
| qg - заряд затвора | 241 nC |
| rds вкл - сопротивление сток-исток | 39 mOhms |
| vds - напряжение пробоя сток-исток | 600 V |
| vgs - напряжение затвор-исток | 30 V, + 30 V |
| vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 4 V |
| канальный режим | Enhancement |
| полярность транзистора | N-Channel |
| типичное время задержки выключения | 290 ns |
| типичное время задержки при включении | 63 ns |
| channel mode | Enhancement |
| maximum continuous drain current (a) | 73 |
| maximum drain source resistance (mohm) | 39@10V |
| maximum drain source voltage (v) | 600 |
| maximum gate source leakage current (na) | 100 |
| maximum gate source voltage (v) | ±20 |
| maximum gate threshold voltage (v) | 4 |
| maximum idss (ua) | 1 |
| typical fall time (ns) | 120 |
| typical gate charge @ 10v (nc) | 241 |
| typical gate charge @ vgs (nc) | 241@10V |
| typical input capacitance @ vds (pf) | 7700@100V |
| typical rise time (ns) | 105 |
| typical turn-off delay time (ns) | 290 |
| typical turn-on delay time (ns) | 63 |
| military | No |
| Высота | 20.82 мм |
| Ширина | 5.31 мм |
Отзывов нет
Компания ООО "Телеметрия"
- Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ" Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38 ИНН 7536172565 КПП 381201001 ОГРН 1187536004215 Расчетный счет 40702810010000426573 Банк АО «Тинькофф Банк» БИК банка 044525974 ИНН банка 7710140679 Корреспондентский счет банка 30101810145250000974 Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26
![NCE3050, Транзистор MOSFET N-канал 30V 50A [TO-220]](/wa-data/public/shop/products/34/17/211734/images/243267/243267.300x0.jpg "NCE3050, Транзистор MOSFET N-канал 30V 50A [TO-220]")
![KBP210 (RS207), Диодный мост 2А 1000В [KBP]](/wa-data/public/shop/products/33/37/123733/images/155187/155187.300x0.jpg "KBP210 (RS207), Диодный мост 2А 1000В [KBP]")
