Name: SIHG32N50D-GE3, Силовой МОП-транзистор, N Channel, 500 В, 30 А, 0.125 Ом, TO-247AC, Through Hole
SKU: SIHG32N50D-GE3

SIHG32N50D-GE3, Силовой МОП-транзистор, N Channel, 500 В, 30 А, 0.125 Ом, TO-247AC, Through Hole

Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Одиночные МОП-транзисторыThe SIHG32N50D-GE3 is a D series N-channel enhancement-mode Power MOSFET suitable for consumer electronics, telecom power supply and battery charger applications. • Low area specific ON-resistance• Low input capacitance (CISS)• Reduced capacitive switching losses• High body diode ruggedness• Avalanche energy rated (UIS)• Simple gate drive circuitry• Low figure-of-merit (FOM) Ron x Qg• Fast switching• Halogen-free

Подробное описание

Основные
вес, г	6.62
moisture sensitivity level (msl)	1 (Unlimited)
mounting type	Through Hole
operating temperature	-55В°C ~ 150В°C (TJ)

Все характеристики

1 120 ₽

– +

Бонус: 22.4 !

Бонусная программа

Итого: 1 120 ₽

Купить

Обзор
Характеристики
Отзывы (0)
Реквизиты

Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Одиночные МОП-транзисторыThe SIHG32N50D-GE3 is a D series N-channel enhancement-mode Power MOSFET suitable for consumer electronics, telecom power supply and battery charger applications.
• Low area specific ON-resistance• Low input capacitance (CISS)• Reduced capacitive switching losses• High body diode ruggedness• Avalanche energy rated (UIS)• Simple gate drive circuitry• Low figure-of-merit (FOM) Ron x Qg• Fast switching• Halogen-free

Основные
вес, г	6.62
moisture sensitivity level (msl)	1 (Unlimited)
mounting type	Through Hole
operating temperature	-55В°C ~ 150В°C (TJ)
package	Tube
package / case	TO-247-3
rohs status	ROHS3 Compliant
вид монтажа	Through Hole
категория продукта	МОП-транзистор
максимальная рабочая температура	150 C
минимальная рабочая температура	55 C
подкатегория	MOSFETs
размер фабричной упаковки	500
тип продукта	MOSFET
торговая марка	Vishay / Siliconix
упаковка	Tube
упаковка / блок	TO-247-3
eccn	EAR99
htsus	8541.29.0095
серия	D
supplier device package	TO-247AC
длина	15.87 mm
время нарастания	75 ns
время спада	55 ns
линейка продукции	D
количество выводов	3вывод(-ов)
pd - рассеивание мощности	390 W
количество каналов	1 Channel
base product number	SIHG32 ->
уровень чувствительности к влажности (msl)	MSL 1-Безлимитный
Вес и габариты
технология	Si
конфигурация	Single
channel type	N Channel
technology	MOSFET (Metal Oxide)
рассеиваемая мощность	390Вт
power dissipation	390Вт
напряжение истока-стока vds	500В
id - непрерывный ток утечки	30 A
qg - заряд затвора	64 nC
rds вкл - сопротивление сток-исток	150 mOhms
vds - напряжение пробоя сток-исток	500 V
vgs - напряжение затвор-исток	30 V, + 30 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	5 V
канальный режим	Enhancement
полярность транзистора	N Канал
типичное время задержки выключения	58 ns
типичное время задержки при включении	27 ns
стиль корпуса транзистора	TO-247AC
непрерывный ток стока	30А
сопротивление во включенном состоянии rds(on)	0.125Ом
напряжение измерения rds(on)	10В
пороговое напряжение vgs	3В
current - continuous drain (id) @ 25в°c	30A (Tc)
drain to source voltage (vdss)	500V
drive voltage (max rds on, min rds on)	10V
fet type	N-Channel
gate charge (qg) (max) @ vgs	96nC @ 10V
input capacitance (ciss) (max) @ vds	2550pF @ 100V
power dissipation (max)	390W (Tc)
rds on (max) @ id, vgs	150mOhm @ 16A, 10V
vgs (max)	В±30V
vgs(th) (max) @ id	5V @ 250ВµA
монтаж транзистора	Through Hole
drain source on state resistance	0.125Ом
Высота	20.82 мм
Ширина	5.31 мм

Отзывов нет

Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ"
Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38
ИНН 7536172565
КПП 381201001
ОГРН 1187536004215
Расчетный счет 40702810010000426573
Банк АО «Тинькофф Банк»
БИК банка 044525974
ИНН банка 7710140679
Корреспондентский счет банка 30101810145250000974
Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26

Кнопки