SIHG20N50C-E3
Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
- Обзор
- Характеристики
- Отзывы (0)
- Реквизиты
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор 500V Vds 30V Vgs TO-247AC
| Основные | |
| вес, г | 6 |
| package / case | TO-247AC-3 |
| вид монтажа | Through Hole |
| категория продукта | МОП-транзистор |
| максимальная рабочая температура | + 150 C |
| минимальная рабочая температура | 55 C |
| подкатегория | MOSFETs |
| размер фабричной упаковки | 500 |
| тип продукта | MOSFET |
| торговая марка | Vishay / Siliconix |
| упаковка | Tube |
| упаковка / блок | TO-247-3 |
| длина | 15.87 mm |
| время нарастания | 27 ns |
| время спада | 44 ns |
| minimum operating temperature | -55 C |
| pin count | 3 |
| factory pack quantity | 500 |
| manufacturer | VISHAY |
| maximum operating temperature | +150 C |
| mounting style | Through Hole |
| packaging | Tube |
| product category | Power MOSFET |
| product type | MOSFET |
| subcategory | MOSFETs |
| pd - рассеивание мощности | 250 mW |
| количество каналов | 1 Channel |
| automotive | No |
| eu rohs | Compliant |
| lead shape | Through Hole |
| maximum operating temperature (°c) | 150 |
| mounting | Through Hole |
| part status | Active |
| pcb changed | 3 |
| standard package name | TO-247 |
| supplier package | TO-247AC |
| eccn (us) | EAR99 |
| maximum power dissipation (mw) | 250000 |
| minimum operating temperature (°c) | -55 |
| configuration | Single |
| fall time | 44 ns |
| rise time | 27 ns |
| number of channels | 1 Channel |
| package height | 20.82(Max) |
| package length | 15.87(Max) |
| package width | 5.31(Max) |
| Вес и габариты | |
| технология | Si |
| number of elements per chip | 1 |
| конфигурация | Single |
| channel type | N |
| technology | Si |
| pd - power dissipation | 250 mW |
| tab | Tab |
| Структура | n-канал |
| максимальное напряжение сток-исток uси,в | 560 |
| максимальный ток сток-исток при 25 с iси макс..а | 20 |
| максимальная рассеиваемая мощность pси макс..вт | 250 |
| id - непрерывный ток утечки | 20 A |
| qg - заряд затвора | 65 nC |
| rds вкл - сопротивление сток-исток | 270 mOhms |
| vds - напряжение пробоя сток-исток | 500 V |
| vgs - напряжение затвор-исток | 30 V, + 30 V |
| vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 3 V |
| канальный режим | Enhancement |
| крутизна характеристики прямой передачи - мин. | 6.4 S |
| полярность транзистора | N-Channel |
| тип транзистора | 1 N-Channel |
| типичное время задержки выключения | 32 ns |
| типичное время задержки при включении | 80 ns |
| channel mode | Enhancement |
| maximum continuous drain current (a) | 20 |
| maximum drain source resistance (mohm) | 270@10V |
| maximum drain source voltage (v) | 500 |
| maximum gate source voltage (v) | ±30 |
| typical fall time (ns) | 44 |
| typical gate charge @ 10v (nc) | 65 |
| typical gate charge @ vgs (nc) | 65@10V |
| typical input capacitance @ vds (pf) | 2451@25V |
| typical rise time (ns) | 27 |
| typical turn-off delay time (ns) | 32 |
| typical turn-on delay time (ns) | 80 |
| military | No |
| rds on - drain-source resistance | 270 mOhms |
| transistor polarity | N-Channel |
| vds - drain-source breakdown voltage | 500 V |
| vgs - gate-source voltage | 10 V |
| id - continuous drain current | 20 A |
| typical turn-on delay time | 80 ns |
| typical turn-off delay time | 32 ns |
| forward transconductance - min | 6.4 S |
| qg - gate charge | 65 nC |
| transistor type | 1 N-Channel |
| vgs th - gate-source threshold voltage | 3 V |
| крутизна характеристики s,а/в | 6.4 |
| максимальное пороговое напряжение затвор-исток uзи макс.,в | 5 |
| сопротивление канала в открытом состоянии rси вкл.,мом | 270 |
| температура, с | -55…+150 |
| Корпус | |
| Высота | 20.82 мм |
| Ширина | 5.31 мм |
Отзывов нет
Компания ООО "Телеметрия"
- Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ" Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38 ИНН 7536172565 КПП 381201001 ОГРН 1187536004215 Расчетный счет 40702810010000426573 Банк АО «Тинькофф Банк» БИК банка 044525974 ИНН банка 7710140679 Корреспондентский счет банка 30101810145250000974 Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26
![NCE3050, Транзистор MOSFET N-канал 30V 50A [TO-220]](/wa-data/public/shop/products/34/17/211734/images/243267/243267.300x0.jpg "NCE3050, Транзистор MOSFET N-канал 30V 50A [TO-220]")
![KBP210 (RS207), Диодный мост 2А 1000В [KBP]](/wa-data/public/shop/products/33/37/123733/images/155187/155187.300x0.jpg "KBP210 (RS207), Диодный мост 2А 1000В [KBP]")
