SIHG15N80AEF-GE3, Силовой МОП-транзистор, N Channel, 800 В, 13 А, 0.305 Ом, TO-247AC, Through Hole

Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Одиночные МОП-транзисторыThe Vishay Siliconix maintains Reliability data for Semiconductor Technology and Package Reliability represent a composite of all qualified locations.

Подробное описание

Основные
mounting type	Surface Mount
максимальная рабочая температура	150 C
линейка продукции	EF
package type	TO-247AC

Все характеристики

410 ₽

– +

Бонус: 8.2 !

Бонусная программа

Итого: 410 ₽

Купить

Обзор
Характеристики
Отзывы (0)
Реквизиты

Основные
mounting type	Surface Mount
максимальная рабочая температура	150 C
линейка продукции	EF
package type	TO-247AC
pin count	3
series	EF-Series
количество выводов	3вывод(-ов)
Вес и габариты
channel type	N Channel
рассеиваемая мощность	156Вт
power dissipation	156Вт
напряжение истока-стока vds	800В
maximum drain source voltage	800 V
полярность транзистора	N Канал
стиль корпуса транзистора	TO-247AC
непрерывный ток стока	13А
сопротивление во включенном состоянии rds(on)	0.305Ом
напряжение измерения rds(on)	10В
пороговое напряжение vgs	4В
maximum continuous drain current	13 A
maximum gate threshold voltage	4V
maximum drain source resistance	0.35 Ω
монтаж транзистора	Through Hole
drain source on state resistance	0.305Ом

Отзывов нет

Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ"
Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38
ИНН 7536172565
КПП 381201001
ОГРН 1187536004215
Расчетный счет 40702810010000426573
Банк АО «Тинькофф Банк»
БИК банка 044525974
ИНН банка 7710140679
Корреспондентский счет банка 30101810145250000974
Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26

Кнопки