SIHFU9220-GE3

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор -200V Vds 20V Vgs IPAK (TO-251)
Основные
вес, г1.622
вид монтажаThrough Hole
категория продуктаМОП-транзистор
максимальная рабочая температура+ 150 C
310
+
Бонус: 6.2 !
Бонусная программа
Итого: 310
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор -200V Vds 20V Vgs IPAK (TO-251)
Основные
вес, г1.622
вид монтажаThrough Hole
категория продуктаМОП-транзистор
максимальная рабочая температура+ 150 C
минимальная рабочая температура55 C
подкатегорияMOSFETs
размер фабричной упаковки1
тип продуктаMOSFET
торговая маркаVishay / Siliconix
упаковка / блокTO-251-3
серияSIHFR/U
время нарастания27 ns
время спада19 ns
pd - рассеивание мощности42 W
количество каналов1 Channel
Вес и габариты
технологияSi
конфигурацияSingle
id - непрерывный ток утечки3.6 A
qg - заряд затвора20 nC
rds вкл - сопротивление сток-исток1.5 Ohms
vds - напряжение пробоя сток-исток200 V
vgs - напряжение затвор-исток20 V, + 20 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток4 V
канальный режимEnhancement
крутизна характеристики прямой передачи - мин.1.1 S
полярность транзистораP-Channel
тип транзистора1 P-Channel
типичное время задержки выключения7.3 ns
типичное время задержки при включении8.8 ns
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль