Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Одиночные МОП-транзисторыМОП-транзистор -200V Vds 20V Vgs IPAK (TO-251)

Подробное описание

Основные
вид монтажа	Through Hole
категория продукта	МОП-транзистор
максимальная рабочая температура	+ 150 C
минимальная рабочая температура	55 C

180 ₽

– +

Бонус: 3.6 !

Бонусная программа

Итого: 180 ₽

Купить

Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Одиночные МОП-транзисторыМОП-транзистор -200V Vds 20V Vgs IPAK (TO-251)

Основные
вид монтажа	Through Hole
категория продукта	МОП-транзистор
максимальная рабочая температура	+ 150 C
минимальная рабочая температура	55 C
подкатегория	MOSFETs
размер фабричной упаковки	1
тип продукта	MOSFET
торговая марка	Vishay / Siliconix
упаковка / блок	TO-251-3
серия	SIHFR/U
время нарастания	27 ns
время спада	19 ns
pd - рассеивание мощности	42 W
количество каналов	1 Channel
Вес и габариты
технология	Si
конфигурация	Single
id - непрерывный ток утечки	3.6 A
qg - заряд затвора	20 nC
rds вкл - сопротивление сток-исток	1.5 Ohms
vds - напряжение пробоя сток-исток	200 V
vgs - напряжение затвор-исток	20 V, + 20 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	4 V
канальный режим	Enhancement
крутизна характеристики прямой передачи - мин.	1.1 S
полярность транзистора	P-Channel
тип транзистора	1 P-Channel
типичное время задержки выключения	7.3 ns
типичное время задержки при включении	8.8 ns

Отзывов нет

Кнопки